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CY22型獨石云母電容器(SAST)

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摘要

該系列產品屬于獨石結構,藍色環氧樹脂粉末包封,徑向引出容量。體積小,容量大,精度高,結構和性能可靠,能在1 V以下的低電平下正常工作,適用于通訊機和航空電子儀表。

產品介紹

CY22型獨石云母固定電容器 (工業級)

特點和用途

該系列(lie)產品(pin)屬(shu)于(yu)獨石結(jie)構,藍色環氧樹脂粉末包封,徑向(xiang)引出容(rong)量(liang)。體積小,容(rong)量(liang)大(da),精度(du)高,結(jie)構和性能可靠(kao),能在1 V以下的低電平下正常工作,適用于(yu)通訊(xun)機和航空電子(zi)儀表。

執行標準

Q/RJ242.33-2010《八(ba)院空間(jian)飛(fei)行器用國產云母固(gu)定電容(rong)器補充技(ji)術(shu)條件》

工作環境溫度范圍

-55℃~+125℃

型號命名

    SS    CY   22  -  2  - 100V  -  D  -  240PF   -   I(J)

      1      2    3       4        5         6         7     ;        8

   1 產品等級(ji):SAST

   2 云母(mu)電(dian)容器分類:CY——云母(mu)片裝配電(dian)容器

   3 結構分類:22——獨石結構

   4 外形尺寸代號

   5 額定電壓

   6 溫度系數組別代號

   7 標稱電容(rong)量

   8 容量允許偏差等級代號(hao)

主要電性能指標

■ 溫度系數容(rong)量漂移

電(dian)(dian)(dian)容(rong)量溫(wen)度(du)系數是指溫(wen)度(du)變(bian)(bian)化一度(du)時(shi)電(dian)(dian)(dian)容(rong)器電(dian)(dian)(dian)容(rong)量的(de)(de)相對(dui)變(bian)(bian)化率。電(dian)(dian)(dian)容(rong)量漂(piao)移是指電(dian)(dian)(dian)容(rong)器經(jing)過一系列溫(wen)度(du)循環(huan)過程或試(shi)驗后,相對(dui)于室溫(wen)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)容(rong)量不可逆變(bian)(bian)化的(de)(de)程度(du)。本目錄(lu)的(de)(de)溫(wen)


度(du)系數(shu)組別代號和參數(shu)值是(shi)按照GJB1313-91《云母(mu)(mu)電容(rong)器總(zong)規(gui)范》進行表(biao)示(見(jian)下(xia)表(biao)1),我(wo)公司生產的(de)云母(mu)(mu)電容(rong)器根據不同標稱(cheng)電容(rong)量(liang),其允(yun)許溫度(du)系數(shu)組別見(jian)表(biao)2:

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標注(zhu)方法(fa):本目(mu)錄各型號電(dian)容器均采用符號即(ji)組別代號標注(zhu)在產品標志中。

■ 耐電壓

額(e)(e)(e)定電壓(ya)≤500V,施加(jia)(jia)2倍的直(zhi)流額(e)(e)(e)定電壓(ya);500V<額(e)(e)(e)定電壓(ya)≤1500V,施加(jia)(jia)1.8倍直(zhi)流額(e)(e)(e)定電壓(ya);額(e)(e)(e)定電壓(ya)>1500V,施加(jia)(jia)1.5倍直(zhi)流額(e)(e)(e)定電壓(ya)。持續時間1~5s

■ 絕緣電阻

在(zai)規定(ding)的(de)(de)試驗(yan)條(tiao)件下(xia),電容器所(suo)能承受(shou)的(de)(de)電壓與所(suo)產生的(de)(de)漏電流的(de)(de)比(bi)值稱(cheng)電容器的(de)(de)絕緣電阻(zu)。分常溫(wen)(wen)和高溫(wen)(wen)絕緣電阻(zu),常溫(wen)(wen)是(shi)指室(shi)溫(wen)(wen)條(tiao)件下(xia),高溫(wen)(wen)是(shi)指電容器的(de)(de)正極限類(lei)別溫(wen)(wen)度條(tiao)件下(xia)。

測試條件:測試電壓(ya)為(wei)測試產品的標(biao)稱電壓(ya);倍率(lv):×104;測試時間:≤2分鐘。測試要(yao)求:如(ru)下表(biao)3所示:

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■ 電容量

測(ce)試條(tiao)件:測(ce)試頻率(lv):C≤1000pF,1MHz±1KHz;C>1000pF,1KHz±100Hz;

測試電平:1.0Vac。

測試(shi)要求:電容量精度(du)符合(he)F(±1%)、O/G(±2%)、I/J(±5%)要求。

■ 損耗角正切

測(ce)試條件:測(ce)試頻率(lv):C≤1000pF,1MHz±1KHz;C>1000pF,1KHz±100Hz;

測(ce)試(shi)電平:1.0Vac。

測試(shi)要求(qiu):損耗角正切值不應超過下表4所(suo)示要求(qiu),容(rong)量小于10 pF的不規定。

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篩選試驗

1) 高溫(wen)貯存:溫(wen)度:125+30℃,時間:96h;

2)溫度沖(chong)擊試驗:低溫:-550-3℃; ?高溫:125+30℃; 高低溫狀態(tai)各保持時(shi)間:30min;

       循環次數:10次,轉換(huan)時間<1min

3) 電老(lao)練試(shi)驗(yan):試(shi)驗(yan)電壓:2倍額定電壓;溫度:125+30℃;時間:168h;

4) 外觀檢查:10倍放大鏡。

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產品參數和外形尺寸

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