HM-ENS系列電磁噪聲抑制片由微米級片狀合金軟磁粉與聚合物混合、分散、壓延而成，在同一平面按照同一方向相互重疊，形成核殼結構，有害電磁噪聲與吸收介質發生電磁共振以及渦流損耗，轉化成熱量，進而改善電磁環境。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片產品特性

HM-ENS系列電(dian)磁(ci)噪聲(sheng)抑制片由微米級(ji)片狀(zhuang)合(he)金軟(ruan)磁(ci)粉與(yu)聚合(he)物混合(he)、分散、壓(ya)延而成，在同(tong)一平面按照同(tong)一方向相互重疊，形成核殼結構(gou)，有害電(dian)磁(ci)噪聲(sheng)與(yu)吸收介質發生電(dian)磁(ci)共(gong)振以及渦流損耗，轉化成熱(re)量，進而改善電(dian)磁(ci)環境(jing)。

厚度薄、柔(rou)性好，便于(yu)模切不同的(de)形狀和尺寸，背膠貼合厚度0.005 mm～0.1 mm。頻率寬、吸收強(qiang)，高(gao)磁導率對鏡面(mian)波和表面(mian)波具(ju)有良好的(de)吸收特(te)性，搭配(pei)導電(dian)(dian)布(bu)、鋁箔(bo)(bo)、銅箔(bo)(bo)導電(dian)(dian)材料使用(yong)，強(qiang)化吸收、屏蔽(bi)效(xiao)果，10 MHz～6 GHz具(ju)有優(you)異的(de)電(dian)(dian)磁噪聲抑制功能。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片應用領域

廣泛應用于衛星導(dao)航、雷(lei)達、無人駕駛，5G通訊天線(xian)、通訊基站、光收發模塊，NFC天線(xian)基板、WPC無線(xian)充電(dian)、RFID射(she)頻識別，芯片、主板、手機、筆電(dian)EMI、數碼產(chan)品(pin)、電(dian)子觸控(kong)屏、數據線(xian)屏蔽(bi)、接口EMC、ETC領域(yu)。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片技術參數

備注：可以(yi)根據客戶需(xu)(xu)求(qiu)，采取逆向工(gong)程即逆向技術，根據MAXWELL方(fang)程，采用遺(yi)傳(chuan)算法(fa)（GA），實現吸(xi)波材料仿真（CAD），發(fa)揮吸(xi)收(shou)介質(zhi)特性設計，縮(suo)短吸(xi)波材料研制周期，滿足客戶對于HM-ENS系列電磁噪聲抑制片的特定(ding)需(xu)(xu)求(qiu).

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